Waferレベルバーンインテスター
WLBI3800
晶円級老化システム
WLBI3800ウエハレベル老化システムは、高性能な専門の炭化ケイ素ウエハ老化テスト装置であり、同時に3 枚のウエハに対して高温ゲートバイアス（HTGB）老化と高温逆バイアス（HTRB）老化を行うことができます。老化テストの時間範囲は数分から数十時間、さらには数千時間にまで拡張可能で、さまざまな製品の老化ニーズに応えます。装置は自動供給および排出システムを統合しており、デュアルカセット設計によりシームレスな切り替えをサポートし、老化条件の自動切り替え機能を備えています。各ダイの閾値電圧（Vth）を正確に検出することができます。システムの各チャネルには独立した過電流保護機能があり、測定対象デバイスの安全を確保します。システムはマップデータを生成し、ユーザーが詳細な性能分析と品質管理を行えるようにします。システムはバッチ生産に対して安定した信頼性のある老化テストサポートを提供し、研究開発アプリケーションに対しても柔軟な構成オプションを提供します。
特徴
自動化の上下料
支持ウェーハの全自動供給と排出
高精度定位
針痕の繰り返し位置決め精度は±25μmに達します
システム機能が豊富です
マップデータバインディングをサポートする
多モード老化
HTGBとHTRBは自動的に切り替わり、異なる老化ニーズに対応します
漏電配置スキャン
IgssとIdssの漏電設定をスキャンできます
集成テスト機能
集成 Vthパラメータテスト
高精度漏電流テスト
最高精度漏電流分解能は0.1nAに達することができます。
温度制御
温度均一性≤±3℃、精度≤1℃、分解能 0.1℃|
序号 |
机型名称 |
配置モデル |
システムの特徴 |
|
1 |
晶円級老化システム主機 |
WLBI3800-M |
- システムラック、電気キャビネット、上下料機 - ウェーハの自動搬入・搬出をサポート - 支持針痕の繰り返し位置決め精度±25μm - マップデータバインディングをサポートし、データは追跡可能です - HTGBとHTRBは自動的に切り替え可能です - IgssとIdssの漏電設定をスキャンできます - 集成 Vthパラメータテスト - 柔軟な老化計画の設定 - SECS/GEM 通信インターフェースをサポートしています - ソフトウェアはローカルデータとデータベースのアップロードをサポートし、EAPとの接続をサポートしています。 - 支持 CP MAPデータのインポート - オンライン編集テストレシピをサポートする - ソフトウェアは三層の権限管理と複数アカウント管理をサポートしています 備考：HTGB+HTRB：満配 3 層 |
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2 |
晶円級老化システム単層 |
WLBI3800-L |
-窒素保護を支持し、高圧点火とパッドの酸化を防止します。 - 温度均一性≤±3℃、精度≤1℃、分解能 0.1℃。 - 高密度プローブカードおよび高圧チャックのサポート 高精度かつ高信頼性の加熱および温度制御システム - 6インチおよび8インチウェーハ - フルタッチ、一次老化すべてのダイ、最大 2112 個のダイ。 - 1 年無料メンテナンス 備考：HTGB+HTRB 満配 3 層 |
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3 |
晶円級老化システム治具 |
WLBI3800-F |
- SiCウェーハの劣化に関する：HTGB+HTRB - 6インチおよび8インチのウェーハをサポート - 最高支持 2112 個 Die |
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Details
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